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Fairchild产品 - FDD10N20LZ介绍
FDD10N20LZ - N 沟道 UniFET MOSFET 200V,7.6A,360mΩ

FDD10N20LZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDD10N20LZ是N 沟道 UniFET MOSFET 200V,7.6A,360mΩ,本站介绍了FDD10N20LZ的封装使用图解、特点和好处、功效等,并给出了与FDD10N20LZ相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDD10N20LZ - N 沟道 UniFET MOSFET 200V,7.6A,360mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDD10N20LZ - 产品形貌

UniFETTMMOSFET是dafa大发体育手机版半导体的高压MOSFET系列产品,基于立体条形和DMOS技能。该MOSFET产品公用于低落通态电阻,并提供更好的开关功能和更高的雪崩能量强度。该器件系列实用于开关电源转换器使用,如功率因数校正(PFC)、平板表现器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

FDD10N20LZ - 产品特征
  • RDS(on) = 300mΩ (典范值)@ VGS = 10V, ID = 3.8A
  • 低栅极电荷(典范值 12nC)
  • 低 Crss(典范值 11pF)
  • 100% 颠末雪崩击穿测试
  • 进步了 dv/dt 处置才能
  • 改良了 ESD 防护才能
  • 切合 RoHS 尺度
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  • 以上特征由Fairchild(仙童半导体)提供,理解更多介绍请在本站下载技能文档
  • FDD10N20LZ - 产品使用

    该产品为通用产品,实用于许多差别使用。

    以下列出了FDD10N20LZ相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
    详细产品型号消费情况及ROHS尺度仙童官网订购代价(美元)
    FDD10N20LZTM量产-ROHS:停止2010年6月$0.4427
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