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FDD10N20LZ - N 沟道 UniFET MOSFET 200V，7.6A，360mΩ
FDD10N20LZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDD10N20LZ是N 沟道 UniFET MOSFET 200V，7.6A，360mΩ，本站介绍了FDD10N20LZ的封装使用图解、特点和好处、功效等，并给出了与FDD10N20LZ相干的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD10N20LZ - N 沟道 UniFET MOSFET 200V，7.6A，360mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDD10N20LZ - 产品形貌
UniFETTMMOSFET是dafa大发体育手机版半导体的高压MOSFET系列产品，基于立体条形和DMOS技能。该MOSFET产品公用于低落通态电阻，并提供更好的开关功能和更高的雪崩能量强度。该器件系列实用于开关电源转换器使用，如功率因数校正（PFC）、平板表现器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
FDD10N20LZ - 产品特征
- RDS(on) = 300mΩ （典范值）@ VGS = 10V, ID = 3.8A
- 低栅极电荷（典范值 12nC）
- 低 Crss（典范值 11pF）
- 100% 颠末雪崩击穿测试
- 进步了 dv/dt 处置才能
- 改良了 ESD 防护才能
- 切合 RoHS 尺度
FDD10N20LZ - 产品使用
该产品为通用产品，实用于许多差别使用。
以下列出了FDD10N20LZ相干的详细订购型号、消费情况、ROHS尺度及仙童官网订购代价
| 详细产品型号 | 消费情况及ROHS尺度 | 仙童官网订购代价(美元) |
| FDD10N20LZTM | 量产-ROHS：停止2010年6月 | $0.4427 |
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